1. 存儲(chǔ)器的分類：
1) 按照存取方式，存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，串行存儲(chǔ)器，只讀存儲(chǔ)器。
2) U盤屬于隨機(jī)存儲(chǔ)器
3) RAM和ROM屬于隨機(jī)存儲(chǔ)器
4) 磁盤屬于部分串行存儲(chǔ)器。
5) 存儲(chǔ)單元是最小的可以獨(dú)立尋址的單元。
2. 存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)
1) 程序的局部性原理
2) 多級結(jié)構(gòu)或者三級結(jié)構(gòu)
3) 分層是為了解決存儲(chǔ)容量，存儲(chǔ)速度和價(jià)格之間的矛盾。
3. 半導(dǎo)體隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：（控制電路OE，CE，WE），刷新方式，比較
1) SRAM和DRAM存儲(chǔ)器原理
① 讀出原理：SRAM為觸發(fā)器，DRAM為電容
② 破壞性讀出：SRAM非，DRAM是
③ 需要刷新：SRAM否，DRAM是（集中式，分散式，異步式）
④ 送行列地址：SRAM是，DRAM分兩次送入
⑤ 運(yùn)行速度：SRAM快，DRAM慢
⑥ 集成度：SRAM低，DRAM高
⑦ 發(fā)熱量：SRAM大，DRAM小
⑧ 存儲(chǔ)成本：SRAM大，DRAM小，
2) 可編程的ROM（分兩種，一種是可編程，另外一種是不能編程的）
① 掩模ROM（MROM）：生產(chǎn)芯片時(shí)，一次寫入
② 一次可編程ROM（PROM）：熔絲燒斷，寫入
③ 可擦除ROM（EPROM）：紫外線，浮動(dòng)?xùn)判孤╇姾桑ú脸行畔ⅲ皇请S機(jī)存取存儲(chǔ)器）
④ 電可擦除可編程RO（EEPROM）：電擦除（可擦出固定的一位，是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）
⑤ 快擦除讀寫存儲(chǔ)器（Flash Memory）：電擦除
信息不能更改：MROM，PROM
信息可以更改：EPROM（全部擦除，重新寫入），EEPROM（對特定位寫入），F(xiàn)lash（可以按照字節(jié)，區(qū)塊，頁面進(jìn)行擦除和寫入）；
4. 主存儲(chǔ)器與cpu 的鏈接
1) 地址線，控制線，數(shù)據(jù)線
2) 容量->逆權(quán)展開二進(jìn)制->地址線先條數(shù)（A0---An）
5. 雙口RAM與多模塊存儲(chǔ)器
1) 雙口RAM，擁有兩個(gè)獨(dú)立的讀寫電路，當(dāng)同時(shí)訪問同一內(nèi)存單元時(shí)，發(fā)生沖突。
2) 多模塊交叉存儲(chǔ)器
① 高位交叉存儲(chǔ)器（順序存儲(chǔ)器）高位作為體號，地位為內(nèi)部地址
② 低位交叉存儲(chǔ)器：可以實(shí)現(xiàn)流水線作業(yè)。（地位作為體號，高位為內(nèi)部地址）
6. 高速緩沖存儲(chǔ)器
1) Cache的工作原理
① 程序訪問的局部性原理
② Cpu訪問主存，有命中和不命中兩種情況
2) Cache和主存的映射方式
3) Cache和主存的替換算法
4) Cache寫策略
7. 虛擬存儲(chǔ)器
1) 虛擬存儲(chǔ)器的概念
2) 頁式虛擬存儲(chǔ)器
3) 段式虛擬存儲(chǔ)器
4) 段頁式虛擬存儲(chǔ)器
5) TLB快表：慢表是通過地址訪問的；TLB相聯(lián)存儲(chǔ)器是通過內(nèi)容訪問的。