1. 存儲器的分類：
1) 按照存取方式，存儲器可以分為隨機存取存儲器，串行存儲器，只讀存儲器。
2) U盤屬于隨機存儲器
3) RAM和ROM屬于隨機存儲器
4) 磁盤屬于部分串行存儲器。
5) 存儲單元是最小的可以獨立尋址的單元。
2. 存儲器的層次結構
1) 程序的局部性原理
2) 多級結構或者三級結構
3) 分層是為了解決存儲容量，存儲速度和價格之間的矛盾。
3. 半導體隨機存取存儲器：（控制電路OE，CE，WE），刷新方式，比較
1) SRAM和DRAM存儲器原理
① 讀出原理：SRAM為觸發器，DRAM為電容
② 破壞性讀出：SRAM非，DRAM是
③ 需要刷新：SRAM否，DRAM是（集中式，分散式，異步式）
④ 送行列地址：SRAM是，DRAM分兩次送入
⑤ 運行速度：SRAM快，DRAM慢
⑥ 集成度：SRAM低，DRAM高
⑦ 發熱量：SRAM大，DRAM小
⑧ 存儲成本：SRAM大，DRAM小，
2) 可編程的ROM（分兩種，一種是可編程，另外一種是不能編程的）
① 掩模ROM（MROM）：生產芯片時，一次寫入
② 一次可編程ROM（PROM）：熔絲燒斷，寫入
③ 可擦除ROM（EPROM）：紫外線，浮動柵泄漏電荷（擦除所有信息，不是隨機存取存儲器）
④ 電可擦除可編程RO（EEPROM）：電擦除（可擦出固定的一位，是隨機存取存儲器）
⑤ 快擦除讀寫存儲器（Flash Memory）：電擦除
信息不能更改：MROM，PROM
信息可以更改：EPROM（全部擦除，重新寫入），EEPROM（對特定位寫入），Flash（可以按照字節，區塊，頁面進行擦除和寫入）；
4. 主存儲器與cpu 的鏈接
1) 地址線，控制線，數據線
2) 容量->逆權展開二進制->地址線先條數（A0---An）
5. 雙口RAM與多模塊存儲器
1) 雙口RAM，擁有兩個獨立的讀寫電路，當同時訪問同一內存單元時，發生沖突。
2) 多模塊交叉存儲器
① 高位交叉存儲器（順序存儲器）高位作為體號，地位為內部地址
② 低位交叉存儲器：可以實現流水線作業。（地位作為體號，高位為內部地址）
6. 高速緩沖存儲器
1) Cache的工作原理
① 程序訪問的局部性原理
② Cpu訪問主存，有命中和不命中兩種情況
2) Cache和主存的映射方式
3) Cache和主存的替換算法
4) Cache寫策略
7. 虛擬存儲器
1) 虛擬存儲器的概念
2) 頁式虛擬存儲器
3) 段式虛擬存儲器
4) 段頁式虛擬存儲器
5) TLB快表：慢表是通過地址訪問的；TLB相聯存儲器是通過內容訪問的。